Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜直径数μｍの穴に１００ｎｍ厚のＣｕ膜超臨界流体を使い３分で形成
日経マイクロデバイス 第285号 2009.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第285号（2009.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全989字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （200kb） |
| 雑誌掲載位置 | 5ページ目 |
アスペクト比１０以上の微細で深い穴に，厚さ１００ｎｍのＣｕ膜を３分間で形成する。こうした技術を東京大学大学院工学系研究科准教授 霜垣幸浩氏のグループが開発した。超臨界成膜によって，数十〜１００ｎｍ／分の成膜速度でＳｉ貫通電極のＣｕ層を形成できる（図１（ａ））。金属やＳｉ上だけでなく，ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）や通常の超臨界成膜でも難しかったＳｉＯ２上にＣｕを直接…
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