Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ とびら〜０．５Ｖ駆動ＬＳＩ
日経マイクロデバイス 第285号 2009.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第285号（2009.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1115字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （440kb） |
| 雑誌掲載位置 | 21ページ目 |
ＬＳＩの消費電力削減の“王道”である低電圧化技術の重要性が再び高まっている。９０ｎｍ世代以降，ＬＳＩの電源電圧は１Ｖ付近で下げ止まってきたが，さらなる微細化を進めるうえで０．５Ｖへの低電圧化という高い目標をクリアすることが欠かせなくなってきた。“１Ｖの壁”を乗り越えるためには，ＭＯＳ ＦＥＴの特性バラつきという難問を解決しなければならない。そこでは，ＭＯＳ ＦＥＴの構造や材料，回路設計の指針など多…
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