Emerging Technology〜“水性インク”を使ってCu配線のリーク電流を7ケタ低減
日経マイクロデバイス 第283号 2009.1.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第283号(2009.1.1) |
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ページ数 | 1ページ (全924字) |
形式 | PDFファイル形式 (317kb) |
雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
Siウエーハを“水性インク”のような水ベースの材料で覆って,Cu配線間のリーク電流を劇的に改善する。こうした革新的な技術を,米Advanced Micro Devices, Inc.(AMD)と米Intermolecular, Inc.が共同で開発した。45nm世代相当のダミーのCu配線パターンを形成したチップで,配線間のリーク電流を従来比で7ケタ低減できた(図1)。AMDの300mmラインで効…
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