Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１〜ＬＳＩの製造・材料技術革新●２Ｘ〜１Ｘｎｍへの道，非Ｓｉ材料がカギに
日経マイクロデバイス 第283号 2009.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第283号（2009.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2440字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （420kb） |
| 雑誌掲載位置 | 22〜23ページ目 |
半導体デバイスでは２００９年以降，新たな材料や構造を導入して動作速度や集積度を高める動きが活発化する。この進化には，２通りの方向がある。微細化を極限まで追う「Ｍｏｒｅ Ｍｏｏｒｅ」と，微細化に頼ることなくデバイスの機能を高める「Ｍｏｒｅ ｔｈａｎ Ｍｏｏｒｅ」である。２００９年には，これらの進化に向けたデバイス量産技術が，ＬＳＩメーカーや装置メーカーから相次ぐ。ｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲートやＣｕ…
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