Cover Story Part2〜技術動向 見えてきたSiC−MOS FETの量産化基板の改善で2010年代前半に
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 6ページ (全8342字) |
形式 | PDFファイル形式 (776kb) |
雑誌掲載位置 | 40〜45ページ目 |
SiC によるMOS FET(SiC−MOS FET)が2010年代前半までに量産化し,SiCパワー半導体の市場が本格的に立ち上がるシナリオが見えてきた。最大の懸念だった,SiC基板の問題に解決のメドが立ったからである。SiC基板の大口径化と高品質化が進み,SiC−MOS FETの量産化の目安となる70%以上の歩留まりを2010年ごろまでに実現するメドが付いた。SiC基板最大手の米Cree, In…
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