Inside LSI 連載『メモリーの将来像を読む』●第4回〜連載『メモリーの将来像を読む』●第4回
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 6ページ (全5847字) |
形式 | PDFファイル形式 (895kb) |
雑誌掲載位置 | 55〜60ページ目 |
DRAM代替を狙う新型RAMの開発競争が激化している。LSIメーカー各社がDRAM代替に向けて注力するメモリーは,SOI(silicon on insulator)基板を使ったキャパシタレスDRAM(SOI型RAM),MRAM(magnetoresistive RAM),PRAM(phase change RAM),ReRAM(resistive RAM)である。これらの新型RAMの集積度や動作速…
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