Cover Story とびら〜パワー半導体 市場・技術で新局面
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全888字) |
形式 | PDFファイル形式 (447kb) |
雑誌掲載位置 | 33ページ目 |
パワー半導体が市場環境と技術の両面で新たなフェーズを迎えた。市場環境では,大手デバイス・メーカーが相次いで民生機器や自動車向けのパワー半導体の増産に乗り出した。地球規模での省エネルギー化への要求の高まりが背景にある。技術では,Siの物理限界を突破するSiCによるMOS FETが2010年代前半までに実用化される可能性が出てきた。SiC基板の高品質化・大口径化が進み,デバイス開発で先行する複数のメー…
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