Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋ使う次世代ＤＲＡＭとＰＲＡＭをエルピーダとＵＭＣが共同開発
日経マイクロデバイス 第270号 2007.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第270号（2007.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全325字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （312kb） |
| 雑誌掲載位置 | 213ページ目 |
エルピーダメモリと台湾Ｕｎｉｔｅｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐ．（ＵＭＣ）は，Ｃｕ配線／低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）絶縁膜を使うＤＲＡＭと，ＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）の共同開発を行うことで合意した。前者は５０ｎｍ世代以降のＤＲＡＭ，後者はポストＤＲＡＭ世代の不揮発性ＲＡＭを狙うものである。Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋを使うＤＲＡＭでは，ＵＭＣがＣｕ／ｌｏｗ−ｋ技術をエルピーダに供…
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