Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＳｉＣ半導体の国際会議が開幕次世代パワー・デバイスへの期待集まる
日経マイクロデバイス 第270号 2007.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第270号（2007.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全291字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （312kb） |
| 雑誌掲載位置 | 213ページ目 |
次世代パワー半導体材料として期待を集めるＳｉＣ関連の国際会議「ＩＣＳＣＲＭ ２００７」が滋賀県大津市で１０月１４日に開幕した。１９日までの会期中，口頭発表とポスター発表を合わせて４００件の発表がある。今回の焦点は，「ＳｉＣパワー半導体の性能や信頼性の低下を招く“キラー欠陥”の特定」（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐｒｏｇｒａｍ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ Ｃｈａｉｒを務める産業技術総合研究所の奥村元氏）である。従…
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