Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＮＥＣエレのパワー半導体主力拠点の生産能力を２００８年度に１．４倍へ
日経マイクロデバイス 第270号 2007.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第270号（2007.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全432字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （312kb） |
| 雑誌掲載位置 | 212ページ目 |
東芝に続いてＮＥＣエレクトロニクスが，パワー半導体の生産能力を拡大する。２００８年度に主力製造拠点であるＮＥＣ関西に新２００ｍｍラインを稼働させ，同拠点でのパワー半導体の生産能力を２００ｍｍ換算で現状の約１．４倍の３万７０００枚に高める。投資額は５０億〜１００億円を見込む。これにより，新ラインの主力製品となる低耐圧パワーＭＯＳ ＦＥＴの市場シェアを２０１０年度までに現状の１３％から１５％に高め，…
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