Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜ＤＰＴならＡｒＦ液浸で３２／２２ｎｍを設計可能
日経マイクロデバイス 第270号 2007.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第270号（2007.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2343字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （347kb） |
| 雑誌掲載位置 | 174〜175ページ目 |
Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｈｓｕ，Ｎｅａｌ Ｃａｌｌａｎ米Ｂｒｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｉｎｃ． Ｒｏｂｅｒｔ Ｓｏｃｈａ， Ｔｓａｎｎ−ｂｉｍ ＣｈｉｏｕオランダＡＳＭＬ社， Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｅｓｉｇｎ Ｃｅｎｔｅｒ われわれは，ＤＰＴ（ｄｏｕｂｌｅ ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）を高ＮＡ（開口数）のＡｒＦ液浸からＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光へ橋渡しする…
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