Inside LSI〜次世代露光技術ダブル・パターニングは本命か
日経マイクロデバイス 第270号 2007.12.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第270号(2007.12.1) |
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ページ数 | 5ページ (全4919字) |
形式 | PDFファイル形式 (628kb) |
雑誌掲載位置 | 169〜173ページ目 |
22nm世代(ハーフ・ピッチ32nm)のデバイス開発に向けた次世代露光技術の競争が火ぶたを切った。ここで競い合うのは,DPT(double patterning technology),SA(self align)−DPT,EUV(extreme ultraviolet)露光である。量産導入が最も早いNAND型フラッシュ・メモリー向けの有力候補は,DPTとSA−DPTと見られる。いずれも45nm/…
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