Ｔｕｔｏｒｉａｌ　最終回●新材料に向けた計測技術〜最終回●新材料に向けた計測技術　ひずみＳｉやポーラスｌｏｗ−ｋ膜新材料の計測にＸ線が威力
日経マイクロデバイス　第269号　2007.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第269号（2007.11.1）
ページ数	7ページ　（全6258字）
形式	PDFファイル形式　（670kb）
雑誌掲載位置	91〜97ページ目

９０ｎｍ以降，新材料や新プロセスを導入することで，微細化だけに頼らずＭＯＳ　ＦＥＴの性能を高める動きが活発化してきた。その代表例が，ひずみＳｉやポーラス低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜／メタル・ゲートである。これらの新材料や新プロセスの採用に伴って，それに対応する計測技術が求められるようになった。その強力な手段が，連載の最終回となる本稿で紹介するＸ線計測技術である。同…