Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜エルピーダがＤＲＡＭを４Ｆ２に４０ｎｍ世代で究極のセル面積を実現へ
日経マイクロデバイス 第268号 2007.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第268号（2007.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全318字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （313kb） |
| 雑誌掲載位置 | 107ページ目 |
エルピーダメモリは，２０１１年頃の量産を計画する４０ｎｍ世代のＤＲＡＭで，メモリー・セル面積を４Ｆ２（Ｆは設計ルール）へと縮小する狙いであることを明らかにした。９月４〜５日に開催された「ＩＳＴＦ（Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｓｔｒａｔｅｇｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｆｏｒｕｍ） ２００７」で，同社取締役 執行役員・ＣＴＯ テクノロジー＆ディベロプメントＯｆｆｉｃｅの安達隆郎氏が明らかにした。エルピー…
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