Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜三洋電機が変換効率をさらに高めて２２．３％に
日経マイクロデバイス 第268号 2007.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第268号（2007.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全405字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （313kb） |
| 雑誌掲載位置 | 107ページ目 |
三洋電機は，太陽電池関連技術の国際学会「ＥＵ ＰＶＳＥＣ」で，単結晶Ｓｉウエーハの両面にアモルファスＳｉ膜を形成した独自のＨＩＴ（ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｔｈｉｎ ｌａｙｅｒ）型のセル変換効率を２２．３％に高めた成果を発表した。開放電圧（Ｖｏｃ）や短絡電流（Ｉｓｃ）を高めたことが寄与した。今回の発表では，単結晶Ｓｉ表面の洗浄方法の改善と表面欠陥の削減，セル表面…
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