Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＭＥＭＳ］〜レーザー・ダイシングをＧａＡｓ，ＳｉＣ，サファイア，ガラスにも
日経マイクロデバイス　第267号　2007.9.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第267号（2007.9.1）
ページ数	1ページ　（全328字）
形式	PDFファイル形式　（299kb）
雑誌掲載位置	103ページ目

　浜松ホトニクスは，Ｓｉウエーハのレーザー・ダイシング技術を，Ｓｉ以外のさまざまな材料に適用できるように展開していく。同社は，「第１８回マイクロマシン／ＭＥＭＳ展」で，その開発計画を示すパネルを展示した。ＧａＡｓ，サファイア，ガラス，ＳｉＣの各種材料による基板を切断できるようにする。同社のレーザー・ダイシングでは，切断しようとする部分にレーザー光を照射し，この部分を改質する。その状態で軽く力を加え…