Ｒｅｐｏｒｔ［Ｅｎｅｒｇｙ］〜ＳｉＣデバイス実現に一歩近づくウエーハとエピ膜の形成技術で進展
日経マイクロデバイス　第266号　2007.8.1

　「ＳｉＣデバイスの実現につながる技術を確立した」（京都大学ら）。「今回の成果がデバイス・メーカーの開発を加速するものと期待する」（新日本製鉄）。電力変換の損失を低減できることから，省エネルギーに貢献する次世代のパワー半導体として期待を集めるＳｉＣデバイス。環境意識の高まりとともに，その期待は年々増大している。しかし，実用化に向けた課題が山積しており，各分野で地道な研究開発が続いている。そうした中…