Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜産学独連携の成功事例としてＳｅｌｅｔｅが「Ｈｉｇｈ−ｋ　Ｎｅｔ」を紹介
日経マイクロデバイス　第265号　2007.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第265号（2007.7.1）
ページ数	1ページ　（全400字）
形式	PDFファイル形式　（336kb）
雑誌掲載位置	107ページ目

　半導体先端テクノロジーズ（Ｓｅｌｅｔｅ）は，産学独連携の成功事例として高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜やメタル・ゲートの研究を進める独自の取り組み「Ｈｉｇｈ−ｋ　Ｎｅｔ」を６月１日に開催した「Ｓｅｌｅｔｅ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　２００７」で紹介した。Ｈｉｇｈ−ｋ　Ｎｅｔは２００３年度に発足した，Ｓｅｌｅｔｅ（産業界），大学，独立行政法人で構成するバーチャルな研究組織であり，ｈｉｇｈ−ｋ／メタル…