Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜日本のＥＵＶ露光技術開発が進展密集線と孤立線の混在パターンで世界最高水準の２６ｎｍを解像
日経マイクロデバイス 第265号 2007.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第265号（2007.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全471字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （336kb） |
| 雑誌掲載位置 | 106ページ目 |
新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）は，キヤノンの小フィールドＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光装置「ＳＦＥＴ（ｓｍａｌｌ ｆｉｅｌｄ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｔｏｏｌ）」を使って線幅２６ｎｍのパターンを解像できたと発表した。難度の高い密集線と孤立線の混在パターンで２６ｎｍの解像に成功しており，「世界最高水準の成果」（ＮＥＤＯ）とする。露光領域の小さい小フィールドＥＵＶ露光…
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