Ｔｕｔｏｒｉａｌ 連載（２）●ウエーハ表面の欠陥検査〜歩留まりの低下もたらす欠陥“暗視野＋明視野”検査で特定
日経マイクロデバイス 第264号 2007.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第264号（2007.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全5633字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （961kb） |
| 雑誌掲載位置 | 67〜72ページ目 |
Ｓｉウエーハ上の欠陥は，ＬＳＩの歩留まりを低下させる要因となる。特に問題となるのが，ＬＬＰＤ（ｌａｒｇｅ ｌｉｇｈｔ ｐｏｉｎｔ ｄｅｆｅｃｔ）と呼ぶ大型の輝点欠陥である。従来の暗視野検査では，ＬＬＰＤを正確に特定した上で分類し，歩留まり向上につなげるのが難しかった。今回，米ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐ．と韓国Ｈｙｎｉｘ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｃ．が，暗視野検査と明視野検査を融合する手…
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