Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜産総研，１０ｎｍ以下の浅いドーピングと低抵抗を両立するイオン注入技術を開発
日経マイクロデバイス 第263号 2007.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第263号（2007.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全336字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （337kb） |
| 雑誌掲載位置 | 101ページ目 |
産業技術総合研究所は，Ｓｉ半導体の高集積化に向け，新しいイオン注入技術を開発した。Ｓｉの結晶性を損なわずに，５００ｅＶ以下の低エネルギーでイオン注入できる。表面から１０ｎｍ以下の浅い領域へのドーピングが可能であり，かつ低抵抗を同時に実現した。今回，イオンを１０００ｅＶ以下で制御して照射できる独自の装置を活用し，Ｓｉ結晶表面から１０ｎｍ以下の領域にドーパントであるＢ（ボロン）を導入するとともに，低…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全336字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
- Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜奈良先端大と松下電器バイオの力で高品質Ｓｉ結晶を数秒で成膜
- Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「パートナが必要」，エルピーダの坂本社長５０ｎｍ以降はＩＭＥＣの研究プログラムに参画
- Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜台湾ＵＭＣが２００８年に薄膜Ｓｉ太陽電池を生産へアルバックから製造ラインを一括購入
- Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜信越化学と凸版が４５ｎｍ，３２ｎｍ世代の半導体向けフォトマスク・ブランクスを共同開発
- Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜米ＩＢＭ，６５ｎｍ世代のプロセスでの「Ｃｅｌｌ Ｂｒｏａｄｂａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅ」の生産を開始
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜奈良先端大と松下電器バイオの力で高品質Ｓｉ結晶を数秒で成膜
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「パートナが必要」，エルピーダの坂本社長５０ｎｍ以降はＩＭＥＣの研究プログラムに参画
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜台湾ＵＭＣが２００８年に薄膜Ｓｉ太陽電池を生産へアルバックから製造ラインを一括購入
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜信越化学と凸版が４５ｎｍ，３２ｎｍ世代の半導体向けフォトマスク・ブランクスを共同開発
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜米ＩＢＭ，６５ｎｍ世代のプロセスでの「Ｃｅｌｌ Ｂｒｏａｄｂａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅ」の生産を開始
