Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜奈良先端大と松下電器バイオの力で高品質Ｓｉ結晶を数秒で成膜
日経マイクロデバイス　第263号　2007.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第263号（2007.5.1）
ページ数	2ページ　（全463字）
形式	PDFファイル形式　（337kb）
雑誌掲載位置	100〜101ページ目

　奈良先端科学技術大学院大学の研究グループと松下電器産業は共同で，タンパク質を吸着させたアモルファスＳｉに対し，５〜６秒の加熱でＳｉ結晶薄膜を得る技術を開発した。今回の技術は，ＬＳＩなどに適用するＳｉ結晶薄膜のプロセスに比べて熱処理時間が約１／１万２０００と非常に短いことに加え，より低温で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成できる。また，結晶粒界（結晶の境界）を制御してトランジスタを高性能化し，リーク…