Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ　スループットを４０％向上〜スループットを４０％向上
日経マイクロデバイス　第263号　2007.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第263号（2007.5.1）
ページ数	1ページ　（全518字）
形式	PDFファイル形式　（1081kb）
雑誌掲載位置	135ページ目

　スループットを従来機比で最大４０％向上させたプラズマＣＶＤ装置（図６）。６５〜４５ｎｍ世代を中心に，３２ｎｍまでのＬＳＩの絶縁膜形成に使える。チャンバ内に四つあるウエーハ・ステージの一つを昇温専用にして，残り三つのステージでは，昇温後のウエーハが搬送されたら成膜をすぐ開始できるようにした。これによって，昇温から成膜までの待ち時間を削減した。従来は，すべてのステージで昇温と成膜を連続して行っていた…