Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ〜米ＳａｎＤｉｓｋと手を組んだ韓国Ｈｙｎｉｘフラッシュ技術戦略を明らかに
日経マイクロデバイス 第263号 2007.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第263号（2007.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6759字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （702kb） |
| 雑誌掲載位置 | 45〜50ページ目 |
ここ２〜３年で業界の注目度が格段に高まった大手メモリー・メーカーがある。韓国Ｈｙｎｉｘ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｃ．である。２００５年に半導体売り上げランキングで初めてトップ１０入りしたのに続き，２００６年には対前年比４０％の成長を遂げて７位にランクを上げた。ＤＲＡＭと並んで同社の躍進を支えるＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーでは，２００７年３月に米ＳａｎＤｉｓｋ Ｃｏｒｐ．との合弁事業に乗り…
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