ＩＰ　Ｉｎｎｏｖａｔａｉｏｎ　知財イノベーション〜次世代ウエーハはＳｉＣかＧａＮか
日経マイクロデバイス　第262号　2007.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第262号（2007.4.1）
ページ数	1ページ　（全1349字）
形式	PDFファイル形式　（804kb）
雑誌掲載位置	150ページ目

　日本の半導体産業の強さを支えてきた立役者として，ウエーハ・メーカーの存在を忘れてはならない。しかし，世界に冠たるウエーハ技術を持つにもかかわらず，ウエーハ技術を中心にした半導体産業の戦略論はあまり聞かない。戦略は「強いところから攻める」のが基本である。　そこで，次世代技術を視野に入れながら，ウエーハ技術から見た戦略論を検討してみる。国内企業間の関係強化へ　ウエーハ技術は，ハードウェアにおけるプラ…