Ｉｎｓｉｄｅ　ＬＳＩ〜−３３℃に冷やせば１世代分速くなる東芝が「温度スケーリング」の扉を開く
日経マイクロデバイス　第261号　2007.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第261号（2007.3.1）
ページ数	8ページ　（全9304字）
形式	PDFファイル形式　（1138kb）
雑誌掲載位置	49〜56ページ目

トランジスタの高性能化を目指した，低温動作ＬＳＩの設計手法を東芝が確立した。チップ内温度を−３３℃程度に下げると，１世代分の微細化に相当する約３７％の高速化ができるという。微細化の代わりに温度制御によって高速化を実現する，いわば「温度スケーリング」手法である。同社はその手法を適用したＬＳＩの用途として，企業向けサーバーのほかに，家庭用ホーム・サーバーなどデジタル家電も視野に入れる。本稿では，動作温…