Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 囲み メタル・ゲート，ｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜，メモリーが実用化〜「すべての半導体デバイスは３次元に」Ｈｗａｎｇ氏が語るＳａｍｓｕｎｇの技術戦略
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1127字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1643kb） |
| 雑誌掲載位置 | 64ページ目 |
「半導体デバイスに使われるプレーナ型トランジスタは，２２ｎｍ以降にすべて３次元へと移行する」。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．の半導体部門を統括するＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ，Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ＆ＣＥＯのＣｈａｎｇ−Ｇｙｕ Ｈｗａｎｇ氏（図Ａ）は，「２００６ ＩＥＤＭ」の基調講演でそう語った。“Ｎｅｗ Ｐａｒａｄｉｇｍｓ ｉｎ ｔｈｅ Ｓｉｌｉｃｏ…
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