Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜メタル・ゲート，ｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜メモリーが実用化で先行
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 5ページ （全7230字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1643kb） |
| 雑誌掲載位置 | 59〜63ページ目 |
メタル・ゲート，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）絶縁膜，３次元トランジスタなど，ロジックＬＳＩの微細化に向けて開発が進んできた新しい材料や構造が，メモリーで先行して導入される。こうした動きが，２００８〜２００９年に本格的に始まる見通しになった。ロジックＬＳＩへの導入を長い間阻んできた壁が，メモリーではいよいよ直近に打ち破られる。ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーやＤＲＡＭが，そうした潮流の先陣を切る。 メタル…
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