Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜高分子材の限界を打破するレジスト　バラつきを低減し，２８ｎｍを解像
日経マイクロデバイス　第258号　2006.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第258号（2006.12.1）
ページ数	1ページ　（全1029字）
形式	PDFファイル形式　（183kb）
雑誌掲載位置	3ページ目

　露光プロセスで長年使われてきた高分子レジストの限界を打破できる可能性を秘めた新材料が出てきた（図１）。東京応化工業と日立製作所が共同で開発した低分子レジストである。従来の高分子レジストは構成分子の寸法が大きいため，パターン側壁の凹凸であるＬＥＲ（ｌｉｎｅ　ｅｄｇｅ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を抑制しにくく，３２ｎｍ世代以降の微細化は困難と考えられている。今回の低分子レジストは分子量が従来よりも１ケタ小…