Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜富士通，６５ｎｍチップで 米ＭｏＳｙｓの「１Ｔ−ＳＲＡＭ」を導入
日経マイクロデバイス 第257号 2006.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第257号（2006.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全260字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （238kb） |
| 雑誌掲載位置 | 111ページ目 |
米ＭｏＳｙｓ， Ｉｎｃ．と富士通は，ＭｏＳｙｓの混載メモリー「１Ｔ−ＳＲＡＭ」を富士通の６５ｎｍ世代のプロセスで導入するためのライセンス契約を締結したと発表した。大容量で高速なメモリーが必要な画像処理ＬＳＩへの適用を狙う。両社は１３０ｎｍと９０ｎｍ世代のプロセスにおいて同様の提携を結んでいる。今回「１Ｔ−ＳＲＡＭ」の中でも集積度の高い「１Ｔ−ＳＲＡＭ−Ｑ」が，富士通の６５ｎｍ世代プロセスで使える…
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