Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜５５ｎｍの混載ＤＲＡＭ ＨｆＳｉＯｘを採用し，漏れ電流を低減 ＮＥＣエレが２００７年後半から量産可能に
日経マイクロデバイス 第257号 2006.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第257号（2006.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全446字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （238kb） |
| 雑誌掲載位置 | 110ページ目 |
ＮＥＣエレクトロニクスと米ＮＥＣ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｍｅｒｉｃａ， Ｉｎｃ．，独ＮＥＣ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（Ｅｕｒｏｐｅ）ＧｍｂＨは，５５ｎｍ世代のＣＭＯＳプロセスで作る混載ＤＲＡＭ技術「ＵＸ７ＬＳｅＤ」を発表した。同社が２００５年に発表した同世代のＣＭＯＳロジック・プロセス「ＵＸ７Ｌ」に向けたものである。メモリー・セルは９０ｎｍ世代の混載ＤＲＡＭと同じ「ＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕ…
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