Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ひずみＳｉ向けのバッチ式ＳｉＧｅ成膜装置　アルバックが開発
日経マイクロデバイス　第257号　2006.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第257号（2006.11.1）
ページ数	1ページ　（全288字）
形式	PDFファイル形式　（255kb）
雑誌掲載位置	105ページ目

　アルバックは，トランジスタの動作速度を高めるひずみＳｉ技術に使えるバッチ式のＳｉＧｅ成膜装置を開発した。既存の枚葉式装置に比べて，単位時間当たりのウエーハ処理枚数を３〜４倍に高められる。今回の装置では５０枚強のウエーハをまとめて処理できる。また，ひずみの大きさを決めるＳｉＧｅ膜中のＧｅ濃度を１．５倍の４５％に高められる。Ｓｉ基板メーカーやＬＳＩメーカー向けで２００７年４月をメドに発売する。価格は…