Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜フラッシュ混載ＳｏＣ １種類のＭＯＳ ＦＥＴで安価に実現
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全972字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （132kb） |
| 雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
一つのＭＯＳ ＦＥＴをロジック向けトランジスタとフラッシュ・メモリーのどちらにも使えるようにする。こうしたデバイスを韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が開発した（図１（ａ））。１チップにこのＭＯＳ ＦＥＴを多数集積しておくと，フラッシュのための新規プロセスを使わずに低コストでフラッシュ混載ＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）を実現できる。基板に埋め込んだＯＮＯ膜…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全972字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｂｌｏｇ〜編集長のブログから 「営業利益率と勝ち組，負け組」
Ｋｅｙ Ｗｏｒｄ 今月のキー・ワード〜『ロバスト・トランジスタ』
Ｋｅｙ Ｐｅｒｓｏｎ キー・パーソン〜日本のＭＥＭＳ研究は異分野が強くする
Ｋｅｙ Ｐｅｒｓｏｎ キー・パーソン〜Ｓｉ貫通電極技術をパッケージの中核に
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ とびら〜ＭＥＭＳ 大量生産時代に
