Ｋｅｙ Ｐｅｒｓｏｎ キー・パーソン〜Ｓｉ貫通電極技術をパッケージの中核に
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3070字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （193kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28〜29ページ目 |
「Ｓｉ貫通電極技術をパッケージ戦略の中核に位置付ける」。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．は，同技術を使うＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーのサンプル出荷を他社に先駆けて２００６年中に開始すると発表し，そうした戦略を実践に移し始めた。同社のパッケージ技術開発を指揮する同社Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ ＰｒｅｓｉｄｅｎｔのＳｅｙｏｎｇ Ｏｈ氏に開発の進捗を聞いた。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ…
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