Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜９０〜６５ｎｍ混載ＦｅＲＡＭ 富士通がキャパシタ新材料で実現へ
日経マイクロデバイス 第252号 2006.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第252号（2006.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2764字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （75kb） |
| 雑誌掲載位置 | 88〜89ページ目 |
ＰＣや携帯機器への用途拡大狙う ＩＣカードやＲＦＩＤタグに限られていたＦｅＲＡＭ（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ）の用途を，パソコン（ＰＣ）や携帯機器にも広げる成果が出た（図１）注１）。９０〜６５ｎｍ世代のＬＳＩに既存のプレーナ型注２）で混載できるキャパシタ材料を，富士通研究所と東京工業大学が共同開発した。先端プロセスでの混載を低コストで ＦｅＲＡＭの用途が現状で限られている理由は，先端プロセ…
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