Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜Ｌａ２Ｏ３膜の導入で メタル・ゲートの仕事関数を制御
日経マイクロデバイス 第251号 2006.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第251号（2006.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全261字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （118kb） |
| 雑誌掲載位置 | 83ページ目 |
Ｌａ２Ｏ３膜の導入でメタル・ゲートの仕事関数を制御した事例を，米ＳＥＭＡＴＥＣＨ社と米Ｎｏｒｔｈ Ｃａｒｏｌｉｎａ Ｓｔａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙが「２００６ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で発表する（講演番号２．１）。ＨｆＳｉＯゲート絶縁膜の表面に，ＭＢＥやＰＶＤで薄いＬａ２Ｏ３膜を形成し，これと熱的に安定なｎＭＯＳ向けメタル・ゲートを組み合わせた。ゲート長７０ｎ…
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