Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＨｆＬａＯゲート絶縁膜で フェルミレベル・ピニングを解消
日経マイクロデバイス 第251号 2006.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第251号（2006.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全400字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （118kb） |
| 雑誌掲載位置 | 83ページ目 |
１０００℃の熱履歴に耐え，ｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲートのフェルミレベル・ピニングを解消できるＨｆＬａＯゲート絶縁膜について，シンガポールＮａｔｉｏｎａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ，シンガポールＩｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ベルギーＩＭＥＣ，台湾Ｃｈｉａｏ−Ｔｕｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙの共同チームが６月１３〜１５日に米国ハワイで開催の「２００６…
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