Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ 囲み フラッシュ・メモリー，成長阻む「２００９年問題」を突破〜ＮＯＲ型にも迫る微細化限界 立体構造をＮＡＮＤ型に先駆けて導入へ
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号（2006.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1769字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （232kb） |
| 雑誌掲載位置 | 48〜49ページ目 |
ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーと同様に，プログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュにも「微細化限界」とされる世代が迫っている（図Ｃ−１）。ＮＯＲ型の微細化限界は，ＮＡＮＤ型よりも１世代前に訪れる。ＮＡＮＤ型の微細化の壁とされる４０〜３０ｎｍ世代に対して，ＮＯＲ型では５０〜４０ｎｍ世代が壁になる。 ＮＯＲ型の微細化がＮＡＮＤ型に比べて１世代遅れているために，米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．や米Ｓｐａｎｓｉｏｎ …
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