Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ 囲み フラッシュ・メモリー，成長阻む「２００９年問題」を突破〜ＮＡＮＤ型は多値品が主流に 書き込み速度は１０Ｍバイト／秒を突破
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号（2006.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1843字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （232kb） |
| 雑誌掲載位置 | 46〜47ページ目 |
微細化と共にＮＡＮＤ型の大容量化を支えている技術が，一つのセルに２ビット以上のデータを蓄積する多値化である。浮遊ゲート構造のＮＡＮＤ型では，浮遊ゲートに電荷が蓄積されている状態とほとんど蓄積されていない状態をデータ“１”と“０”に対応させることで，１ビット／セル（ｓｉｎｇｌｅ ｌｅｖｅｌ ｃｅｌｌ：ＳＬＣ）を実現する。これに対し，多ビット／セル（ｍｕｌｔｉ ｌｅｖｅｌ ｃｅｌｌ：ＭＬＣ）は，浮遊…
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