Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜ＣＭＯＳ狙いの非Ｓｉ材料と ナノテク開発が離陸
日経マイクロデバイス 第249号 2006.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第249号（2006.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全7106字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （470kb） |
| 雑誌掲載位置 | 51〜56ページ目 |
ＣＭＯＳに狙いを定めたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やナノテクノロジに関する技術開発が活発化してきた。２００５年末には米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．がＩＩＩ−Ｖ族半導体のＩｎＳｂを使ったトランジスタを発表し，ナノテクにも並々ならぬ興味を示している。これだけにとどまらず，米国では将来のＣＭＯＳ技術課題の中で非Ｓｉ材料を特に重視し始めた。このような状況に対し，日本のＣＭＯＳ技術者からは「後れを取るのではないか」と…
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- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ 太陽電池，多結晶Ｓｉを使わなくなる日〜Ｐａｒｔ２ 技術 薄膜Ｓｉ，薄膜化合物，球状Ｓｉが 量産ラインで低コスト化を競う
- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ〜７５％／年成長で２００６年に黒字化 新興ＭＥＭＳファウンドリを分析
- Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 囲み ＣＭＯＳ狙いの非Ｓｉ材料と，ナノテク開発〜不揮発性メモリーを分散配置し 瞬時に立ち上がるシステム目指す
- Ｉｎｓｉｄｅ ＥＤＡ〜ルネサス，ＳｏＣ開発期間を４０％に短縮へ 論理設計と物理設計を最適に分担
- Ｉｎｓｉｄｅ ＦＰＤ 広域色の動画向け規格「ｘｖＹＣＣ」が発進，民生機器〜ソニー，三菱が規格化を主導 対応機器の開発が続々
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