Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜Ｉｎｔｅｌが示したポストＳｉ時代への指針 ＩｎＳｂでロジックＬＳＩを高速化
日経マイクロデバイス 第248号 2006.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第248号（2006.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全941字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （125kb） |
| 雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
現在知られている半導体の中で最も電子移動度が高いＩｎＳｂを使ったロジックＬＳＩ向けトランジスタが登場した。現在のひずみＳｉやＳｉＧｅをしのぐ“究極の高速化”を狙っている。米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．が，英ＱｉｎｅｔｉＱ Ｌｔｄと共同で開発した。ゲート長８５ｎｍのトランジスタを試作し，遮断周波数３０５ＧＨｚを達成している（図１）。マイクロプロセサ向けなどで２０１５年頃までの実用化を目指す。 一般にＩＩ…
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