Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ルネサスと松下電器　４５ｎｍノードのプロセス技術を共同開発へ
日経マイクロデバイス　第247号　2006.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第247号（2006.1.1）
ページ数	1ページ　（全363字）
形式	PDFファイル形式　（250kb）
雑誌掲載位置	105ページ目

　ルネサス　テクノロジと松下電器産業は６５ｎｍノード（ｈｐ９０）に続き，４５ｎｍノード（ｈｐ６５）でもプロセス技術を共同開発する。２００６年の計画開始に向けて現在最終調整を進めている。ルネサスと松下電器のプロセス共同開発は，１９９８年の三菱電機，松下電器，松下電子工業の提携が発端になる。この提携に基づき，１９９９〜２００３年の５年間は１５０ｎｍ，１３０ｎｍ，９０ｎｍのプロセス技術を共同開発した。そ…