Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ルネサスが６５ｎｍ　ＭＲＡＭの開発に着手　スピン注入方式を本命視
日経マイクロデバイス　第247号　2006.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第247号（2006.1.1）
ページ数	1ページ　（全377字）
形式	PDFファイル形式　（250kb）
雑誌掲載位置	104ページ目

　ルネサス　テクノロジは，データ書き込み電流を既存の手法に比べて削減できる「スピン注入磁化反転」技術を利用したＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　ＲＡＭ）の開発に乗り出す。６５ｎｍ以降のプロセスで作製するＭＲＡＭに導入し，車載用マイコンやＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ　ｏｎ　ａ　ｃｈｉｐ）向けの混載メモリーとして，今後５年以内の製品化を目指す。スピン注入磁化反転技術のＩＰベンダーである米Ｇｒａｎｄｉ…