Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＳＯＩ使うキャパシタレスＤＲＡＭ 微細化や高速化で進展
日経マイクロデバイス 第247号 2006.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第247号（2006.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全238字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （250kb） |
| 雑誌掲載位置 | 105ページ目 |
ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を使う混載向けキャパシタレスＤＲＡＭの微細化や高速化に向けた技術が，米国ワシントンＤ．Ｃ．で開催中の「２００５ ＩＥＤＭ」に登場した。東芝は，９０ｎｍプロセスを使う１２８Ｍビット品を発表した（講演番号１３．１）。米Ｔ−ＲＡＭ， Ｉｎｃ．は，ＳＯＩ基板のＳｉ薄膜部に形成したサイリスタのベース領域に電荷を蓄積する手法で，書き込み時間を２ｎｓに高速…
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