Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜東芝とＮＥＣエレが ４５ｎｍ世代のプロセス技術共同開発 設計や生産での協力も検討
日経マイクロデバイス 第246号 2005.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第246号（2005.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全310字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （250kb） |
| 雑誌掲載位置 | 178ページ目 |
東芝とＮＥＣエレクトロニクスは，４５ｎｍ世代のＣＭＯＳロジック・プロセス技術を共同開発することで合意した。増加の一途を続けるＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）の開発負担の軽減を図る。今回，両社はこれまでにそれぞれで築き上げてきたプロセス技術を融合し，東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）に，技術者を集結し共同開発を行う。開発成果であるプロセス技術は両社がそれぞれの生産…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全310字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｒｅｐｏｒｔ［ＦＰＤ］〜液晶テレビ５０００万台を売る処方箋 生産拠点の集中と分散がカギ
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜東芝とＮＥＣエレの共同開発 ソニーとの関係に注目 ＳＯＩは「直接関係ない」
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「２００６年に２〜３位」 エルピーダが３００ｍｍ前倒しでＶ字回復へ ２００５年度の中間決算発表
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＩＴＰＣ開幕，ＳＣＥＩ社長の久多良木氏 Ｓａｍｓｕｎｇ半導体ＣＥＯのＨｗａｎｇ氏が講演
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜沖電気，オフ・リーク電流を１／１０に低減できる ＳＯＩトランジスタを開発
