Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜沖電気，オフ・リーク電流を１／１０に低減できる ＳＯＩトランジスタを開発
日経マイクロデバイス 第246号 2005.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第246号（2005.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全330字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （250kb） |
| 雑誌掲載位置 | 178〜179ページ目 |
沖電気工業は，動作速度を低下させずに待機時のオフ・リーク電流を１／１０に低減できるＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）トランジスタを開発した。「ノンドープボディ・ノンオーバーラップ型」と呼ぶ完全空乏型ＳＯＩ構造を使って実現した。これまでも沖電気では完全空乏型ＳＯＩ技術の研究開発を続けてきた。今回の成果により，将来のコイン・バッテリ駆動や太陽電池駆動で動くセンサー・ネットワーク製品の…
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