Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜高温成膜でＴＦＴのバラつき抑制 曲がるＳＲＡＭの読み出しを実証
日経マイクロデバイス 第246号 2005.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第246号（2005.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全863字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （122kb） |
| 雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
シート状のプラスチック基板に形成したＳＲＡＭを，同一基板上のＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で読み出す。ディスプレイやプロセサ，メモリーをフレキシブル基板上に集積する「フレキシブル・エレクトロニクス」の実現に向けたこのような技術を，セイコーエプソンが開発した。 同社はプラスチック基板上に６個のＴＦＴで構成するＳＲＡＭのセル，および読み出し回路を形成し，２００ｎｓ（動作電圧６Ｖ）…
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