Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜４５ｎｍ以降の極浅接合形成に新手法 複数の不純物を低エネルギーで打ち込む
日経マイクロデバイス 第243号 2005.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第243号（2005.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1267字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （156kb） |
| 雑誌掲載位置 | 75ページ目 |
４５ｎｍノード（ｈｐ６５）以降のＭＯＳ ＦＥＴにおける極浅接合形成の課題を克服するイオン打ち込み装置が登場した。米Ｅｐｉｏｎ Ｃｏｒｐ．が開発したガス・クラスタ・イオン・ビーム（ｇａｓ ｃｌｕｓｔｅｒ ｉｏｎ ｂｅａｍ：ＧＣＩＢ）装置である注）。ここへ来て，装置を評価してきた大手ＬＳＩメーカーが自社ラインへの導入をほぼ決定した。加速エネルギーを多数の原子に分散 今回Ｅｐｉｏｎが開発した装置の特徴…
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