ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜新型フラッシュを“ＬＳＩ混載メモリーの核”に ２００５年末に２Ｍバイト品を量産へ
日経マイクロデバイス 第240号 2005.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第240号（2005.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全379字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （53kb） |
| 雑誌掲載位置 | 97ページ目 |
東芝は，新しく開発したフラッシュ・メモリー技術「ＮＡＮＯ ＦＬＡＳＨ」を民生機器に向けたＬＳＩ混載メモリーの核に据える。「ＮＡＮＯ ＦＬＡＳＨ」は，ＮＡＮＤ型フラッシュの低消費電力性とＮＯＲ型フラッシュの高速アクセス性を併せ持つ。現在１８０ｎｍルールの５１２Ｋバイト品を開発済みで，３２ビット・マイクロプロセサに搭載し，民生機器市場に向けて２００５年１０月にサンプル出荷を開始する。同社はＮＡＮＯ …
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