Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜６５ｎｍ以降に向け薄膜測定を高精度化　波長範囲広げ多層膜に対応
日経マイクロデバイス　第240号　2005.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第240号（2005.6.1）
ページ数	2ページ　（全2467字）
形式	PDFファイル形式　（189kb）
雑誌掲載位置	93〜94ページ目

　６５ｎｍノード（ｈｐ９０）以降のＬＳＩの薄膜測定に対応できる新技術を装置化した（図１）。６５ｎｍ以降では，基板やチャネルへの新材料の導入やゲート絶縁膜の薄膜化，メモリー・キャパシタの多層膜の薄膜化が進む。従来の分光エリプソメーター（ＳＥ：ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃ　ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ）注１）では，薄膜化や多層化が進むと高い精度で測定することが難しかった。今回，ＳＥに新たな測定機能を導入する…